Engineering Sciences

Niveau de saturation du courant de drain et son impact sur la robustesse des transistors GaN en régime de court-circuit répétitif

Published on 1 July 2025 - Symposium de Génie Électrique SGE 2025

Authors: Mohamed Lemine Dedew, Stéphane Lefebvre, Tien Anh Nguyen, Thanh Long Le, Valeria Rustichelli, Maroun Alam, Joao Oliveira, Fabio Coccetti