Niveau de saturation du courant de drain et son impact sur la robustesse des transistors GaN en régime de court-circuit répétitif

Publié le 1 juillet 2025 - Symposium de Génie Électrique SGE 2025

Auteurs : Mohamed Lemine Dedew, Stéphane Lefebvre, Tien Anh Nguyen, Thanh Long Le, Valeria Rustichelli, Maroun Alam, Joao Oliveira, Fabio Coccetti