Méthode de détection de l'initiation du délaminage dans les assemblages MOSFETs SiC sur PCB

Cet article présente une méthode d’évaluation de l’initiation du délaminage dans les angles d’une brasure d’un assemblage 3D sur substrat PCB. Cet assemblage repose sur le brasage de matériaux métalliques et l’intégration de MOSFETs SiC de dimensions relativement petites par rapport à celles du dissipateur. Ce développement méthodologique s’inscrit dans l’évaluation de la robustesse d’un nouveau modèle d’assemblage de composants dit grand Gap. Or, les méthodes conventionnelles ne répondent pas efficacement à la détection de l’initiation du délaminage de la brasure. La méthode, adaptée aux besoins des campagnes de vieillissement accéléré, repose sur des mesures électriques présentant une grande sensibilité pour détecter le début du délaminage de la brasure. Des simulations par éléments finis sont réalisées pour quantifier les performances et les limites de la méthode. Aussi, afin de vérifier ces résultats, des prototypes représentatifs de l’assemblage sont fabriqués avec un contrôle du délaminage dans les angles de la brasure.