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Étude des propriétés uniques des MOSFET SiC en régime de court-circuit (CC) en vue de la sécurisation de cellule de commutation
Published on - École thématique 2018 GRANDS-GAPS, Matériaux Grands Gaps pour l'Électronique de Puissance : Enjeux, Intégration système et commande rapprochée, 18-22 juin 2018, Toulouse (FRANCE)