Electronics

Étude des propriétés uniques des MOSFET SiC en régime de court-circuit (CC) en vue de la sécurisation de cellule de commutation

Published on - École thématique 2018 GRANDS-GAPS, Matériaux Grands Gaps pour l'Électronique de Puissance : Enjeux, Intégration système et commande rapprochée, 18-22 juin 2018, Toulouse (FRANCE)

Authors: François Boige, Frédéric Richardeau, S. Lefebvre