Nouvelle méthode d'analyse des interférences électromagnétiques (IEM) dans les convertisseurs statiques

Il est bien connu que la commutation des semi-conducteurs et leurs interactions avec les éléments parasites liés à l'environnement est la source principale des perturbations conduites dans les convertisseurs d'électronique de puissance. Le développement d'une méthode simple, précise et rapide pour reconstruire ces perturbations constitue un défi majeur pour les concepteurs. Dans cet article, on propose une nouvelle méthode de modélisation basée sur des fonctions de transfert partielles configurables (FTPCs). Cette méthode permet, d'une part, une reconstitution très rapide et précise des phases transitoires de la cellule de commutation et d'autre part l'identification des sources de perturbation dans la cellule de commutation. Un convertisseur équipé par des semi-conducteurs de technologie carbure de silicium SiC (MOSFET/Diode Schottky) est utilisé pour la validation expérimentale.