Etude de la fiabilité de MOSFET SiC sous des régimes extrêmes de fonctionnement répétitifs

Afin d’accélérer le vieillissement de transistors MOSFET SiC, nous avons appliqué une procédure de vieillissement de longue durée en régimes extrêmes de fonctionnement (court-circuit et avalanche)répétitifs. L’étude se focalise sur des MOSFET SiC. Nous mesurons régulièrement différents indicateurs de vieillissement sous différentes énergies dissipéesà chaque cycle de vieillissement. Les résultats montrent une évolution similaire des différents indicateurs mesurés durant ces différents types de stress (court-circuit et avalanche). Une très faible augmentation du courant de fuite de grille (environ 900fA) a été détectée avant la défaillance de composant. Ce courant de fuite pourrait être lié à la dégradation de la couche de l’oxyde (SiO2) du composant. Enfin, une estimation quantitative de l’évolution de l’aire de sécurité de ces composants(Safe Operating Area) à cause de l’effet du vieillissement en régime de court-circuit a été proposée, où une réduction de l’énergie à défaillance concernant la SCSOA (Short-Circuit Safe Operating Area) a été constatée.