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Engineering Sciences

Dependence between drain current saturation level and short-circuit robustness of p-GaN HEMTs

Publié le - Microelectronics Reliability

Auteurs : M.L. Dedew, S. Lefebvre, T.A. Nguyen, T.L. Le, V. Rustichelli, J. Oliveira, M. Alam, F. Coccetti

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