Analyse par électroluminescence des dégradations de transistor MOSFET en SiC

Publié le 31 mai 2016 - Symposium de Génie Electrique 2016 - SGE2016

Auteurs : Tien Anh Nguyen, Echeverri Andres, Mbarek Safa, Niemat Moultif, Pascal Dherbécourt, O. Latry, Eric Joubert