Modélisation électrothermique compacte des modes de défaillance du Mosfet SiC en régime extrême de court-circuit. Application au développement d'une protection intégrée pour convertisseur sécurisé à tolérance de panne

Le Mosfet SiC de puissance présente des propriétés singulières en régime de court-circuit (CC) telles qu’un courant de fuite de grille important, un fort courant de saturation et deux modes de défaut complémentaires dont l'un est sécurisant (fail-to-open) sous certaines conditions. Ce papier présente un modèle électro-thermique compact original représentatif des singularités du composant. Une analyse technologique poussée de la défaillance a permis de modéliser et de comprendre ses modes de défaut. Enfin, un nouveau circuit de protection contre les court-circuits utilisant le courant de fuite de grille comme indicateur observable est présenté et validé.