Etude CEM d'un module de puissance à HEMT GaN

Un module de puissance constitué d'un bras d'onduleur utilisant des HEMTs GaN 650V/30A sur substrat PCB a été étudié et fabriqué en prenant en considération le placement de condensateurs céramique pour le découplage des perturbations in-module. Les résultats expérimentaux ont montré que ces condensateurs de découplage ont réduit effectivement les perturbations de mode différentiel et de mode commun dans la bande de fréquence des perturbations conduites jusqu'à celle des perturbations rayonnées. La modélisation et les simulations temporelles ont été étudiées pour reconstruire les résultats expérimentaux. Le placement des capacités de découplage de mode commun a été discuté. Enfin une stratégie du filtrage in-module a été proposée.