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Cette soutenance aura lieu à l'ENS Paris-Saclay, 4 Avenue des Sciences, 91190 Gif-sur-Yvette, Amphithéâtre Dorothi Hopkins
Titre de la thèse : Évaluation d'indicateur de mécanismes d’endommagement de modules de puissance MOSFETs SiC à forte densité d’intégration
Ces travaux ont été réalisés dans le laboratoire SATIE.
Et dirigés par M. Laurent DUPONT.