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LEFEBVRE Stéphane

Professeur des universités au CNAM 
 
Section CNU 63


Thèmes de recherche

Fiabilité et durée de vie des composants à semiconducteurs de puissance

Ses activités de recherche sont axées sur la fiabilité et la durée de vie de composants à semi-conducteur de puissance (Si, SiC, GaN) utilisés dans des environnements électriques ou thermiques contraignants. Les études portent sur les puces, leur environnement proche mais également l'assemblage dont les défaillance sont principalement d'origine thermomécanique.
Plus récemment des activités liées à l'instrumentation de puces et modules de puissance ont été initiées avec pour objectif le contrôle santé intégré mais aussi une meilleur compréhension des mécaniqmes de défaillance.


Publications

Publications récentes :

M. Bouarroudj-Berkani, D. Othman, S. Lefebvre, S. Moumen, Z. Khatir, T. Ben Sallah, Ageing of SiC JFET transistors under repetitive current limitation conditions, Microelectronics Reliability 50 (2010) 1532-1537


A. Oukaour, B. Tala-Ighil, B. Pouderoux, M. Tounsi, M. Bouarroudj-Berkani, S. Lefebvre, B. Boudart, Ageing defect detection on IGBT power modules by artificial training methods

based on pattern recognition, Microelectronics Reliability,  Volume 51, Issue 2, February 2011, Pages 386-391


V. Smet, F. Forest, J.-J. Huselstein, F. Richardeau, Z. Khatir, S. Lefebvre, M. Berkani, « Ageing and Failure Modes of IGBT Modules in High Temperature Power Cycling », IEEE Transactions on Industrial Electronics, Oct. 2011, Volume 58, pp. 4931 - 4941


T.A Nguyen, P.-Y. Joubert, S. Lefebvre, G. Chaplier, L. Rousseau, Study for the non-contact characterization of metallization ageing of power electronic semiconductor devices using the eddy current technique, Microelectronics Reliability Volume 51, Issue 6, June 2011, Pages 1127-1135


Pietranico S., Pommier S., Lefebvre S., Berkani M., Khatir Z., Bontemps S. Cadel E., « Effect of die metallization layer ageing in the case of power semiconductor devices », European journal of electrical engineering, 2011


Pietranico S., Lefebvre S., Pommier S., Berkani Bouarroudj M., « A study of the effect of degradation of the aluminium metallization layer in the case of power semiconductor devices », Microelectronics Reliability Volume 51, Issues 9-11, September-November 2011, Pages 1824-1829


D. Othman, M. Berkani, S. Lefebvre, A. Ibrahim, Z. Khatir, A. Bouzourene. Comparison study on performances and robustness between SiC MOSFET & JFET devices - Abilities for aeronautics application, Microelectronics Reliability, Volume 52, Issues 9-10, September-October 2012, Pages 1859-1864


Kociniewski, T.
Moussodji, J. Khatir, Z. Berkani, M. Lefebvre, S. Azzopardi, S. New Investigation Possibilities on Forward Biased Power Devices Using Cross Sections Electron Device Letters, IEEE, April 2012, Volume: 33  , Issue: 4,  pp 576 - 578


T.A Nguyen, P.-Y. Joubert, S. Lefebvre and G. Chaplier, Estimation of a surface current distribution from 2D magnetic field measurements, International Journal of Applied Electromagnetics and Mechanics, Volume 39, no 1-4, 2012, p.151-156.


M. Berkani, S. Lefebvre, Z. Khatir, Saturation current and on-resistance correlation during repetitive short-circuit conditions on SiC JFET transistors, IEEE Transaction on power electronics, Vol. 28, Issue 2, pp 621-624, 2013


T.A. Nguyen, P.-Y. Joubert, S. Lefebvre and S. Bontemps Monitoring of ageing chips ofsemiconductor power modules using eddy current sensor, Electronics Letters 14th March 2013 Vol. 49 No. 6

 

G. Rostaing, M. Berkani, D. Mechouche, S. Lefebvre, Z. Khatir, Ph. Dupuy Reliability of power MOSFET-based smart switches under normal and extreme conditions for 24V battery system applications. Microelectronics Reliability, Volume 53, Issues 9-11, September-November 2013, Pages 1703-1706

 

D. Othman, S. Lefebvre, M. Berkani, Z. Khatir, A. Ibrahim, A. Bouzourene, Robustness of 1.2 kV SiC MOSFET devices, Microelectronics Reliability, Volume 53, Issues 9-11, September-November 2013, Pages 1735-1738

 



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